Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SB1150 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SB1150

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SB1150 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 20

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 45

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 3

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 10000

Wytwórca:

CIAŁO: TO126

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SB1151 , 2SB1153 , 2SB1154 , 2SB1157 , 2SB1158 , 2SB1160 , 2SB1162 , 2SB1166R , 2SB1167S , 2SB1175 , 2SB1179 , 2SB1189P , 2SB1192 , 2SB1201R , 2SB1202 , 2SB1205T , 2SB1207 , 2SB1215Q , 2SB122 , 2SB1229S , 2SB1236 , 2SB1249 , 2SB1252 , 2SB1265 , 2SB1268Q , 2SB127 , 2SB1272S , 2SB1282 , 2SB1286 , 2SB1296U , 2SB130

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved