Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1180 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1180

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1180 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 80

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 150

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 150

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 15

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 60

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1180A , 2SA1182O , 2SA1182Y , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186Y , 2SA1188 , 2SA1197 , 2SA120 , 2SA1208S , 2SA1209S , 2SA1215Y , 2SA1217 , 2SA1227 , 2SA123 , 2SA124 , 2SA1240F , 2SA1245 , 2SA1249T , 2SA1253T , 2SA1257 , 2SA1264 , 2SA1265 , 2SA1275 , 2SA1283 , 2SA1289Q , 2SA1292 , 2SA1297Y , 2SA1299 , 2SA1304 , 2SA1306B

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved