Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1162 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1162

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1162 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.15

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.15

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 80

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 70

Wytwórca:

CIAŁO: TO236

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1163 , 2SA1166 , 2SA1166A , 2SA1170 , 2SA1171 , 2SA1175 , 2SA1177D , 2SA1180 , 2SA1184 , 2SA1194K , 2SA1198 , 2SA1207R , 2SA1208T , 2SA1213 , 2SA1215P , 2SA1226 , 2SA1227A , 2SA1237 , 2SA1240G , 2SA1246S , 2SA1249S , 2SA1253U , 2SA1255Y , 2SA1262 , 2SA1265N , 2SA1270 , 2SA1281 , 2SA1290S , 2SA1291S , 2SA1297GR , 2SA12H

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved