Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1160 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1160

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1160 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.9

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 20

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 6

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 150

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 60

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 140

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1160A , 2SA1160C , 2SA1161 , 2SA1164 , 2SA1166 , 2SA117 , 2SA1171 , 2SA1179M4 , 2SA1180A , 2SA119 , 2SA1194 , 2SA1203 , 2SA1207S , 2SA1210 , 2SA1211 , 2SA1221 , 2SA1223 , 2SA1231 , 2SA1239F , 2SA1244O , 2SA1248R , 2SA1252D7 , 2SA1253T , 2SA1258 , 2SA1264 , 2SA1266 , 2SA1277 , 2SA1289S , 2SA1290R , 2SA1295Y , 2SA1297Y

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved