Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1116 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1116

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1116 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 150

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 200

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 6

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 15

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 20

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 7

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1117 , 2SA1120 , 2SA1121 , 2SA1121D , 2SA1122 , 2SA1122E , 2SA1124 , 2SA1136 , 2SA1143 , 2SA1154 , 2SA116 , 2SA1171 , 2SA1177E , 2SA1182O , 2SA1185 , 2SA1198S , 2SA1199S , 2SA1207 , 2SA1210 , 2SA1216G , 2SA1221 , 2SA1233 , 2SA1237E , 2SA1241 , 2SA1246R , 2SA1248T , 2SA1252D7 , 2SA1258 , 2SA1261 , 2SA127 , 2SA1275

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved