Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1109 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1109

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1109 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 200

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 180

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 180

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 10

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 135

Maksymalna częstotliwość (Ft): 60

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 450

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 90

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA111 , 2SA1111 , 2SA1112 , 2SA1115 , 2SA1116 , 2SA1120 , 2SA1121B , 2SA1126 , 2SA1133A , 2SA1147 , 2SA1150Y , 2SA1162 , 2SA117 , 2SA1179M4 , 2SA118 , 2SA1191 , 2SA1194 , 2SA120 , 2SA1208S , 2SA1211 , 2SA1216P , 2SA1227 , 2SA123 , 2SA1238G , 2SA1242O , 2SA1246R , 2SA1249T , 2SA1256 , 2SA1257 , 2SA1265 , 2SA1268

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved