Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1100 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1100

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1100 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.3

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 8

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 70

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1102 , 2SA1104 , 2SA1105 , 2SA1107A , 2SA1108 , 2SA111 , 2SA1111 , 2SA1121B , 2SA1122E , 2SA1138 , 2SA1143 , 2SA1154 , 2SA1160A , 2SA1171 , 2SA1177 , 2SA1185 , 2SA1186O , 2SA1194 , 2SA1203 , 2SA1209 , 2SA1211 , 2SA1219 , 2SA1221 , 2SA1233 , 2SA1238G , 2SA1241 , 2SA1246T , 2SA1252D7 , 2SA1253T , 2SA1261 , 2SA1264

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved