Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1016H . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1016H

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1016H (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 120

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 120

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 110

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 2.2

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 480

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1016K , 2SA1016KG , 2SA1016KH , 2SA1019 , 2SA102 , 2SA1020Y , 2SA1022 , 2SA1031 , 2SA1036K , 2SA1047 , 2SA1048LG , 2SA1052B , 2SA1056 , 2SA1067 , 2SA107 , 2SA1090 , 2SA1091O , 2SA1100 , 2SA1112 , 2SA1122 , 2SA1129 , 2SA1145O , 2SA115 , 2SA1160B , 2SA1170 , 2SA1177F , 2SA1182Y , 2SA1196 , 2SA1199 , 2SA1208T , 2SA121

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved