Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1016G . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1016G

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1016G (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 120

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 120

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 110

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 2.2

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 280

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1016H , 2SA1016KF , 2SA1016KG , 2SA1018 , 2SA1019 , 2SA1020O , 2SA1021 , 2SA1030 , 2SA1036 , 2SA1046 , 2SA1048L , 2SA1052 , 2SA1055 , 2SA1066 , 2SA1069A , 2SA109 , 2SA1091 , 2SA110 , 2SA1111 , 2SA1121D , 2SA1128 , 2SA1145 , 2SA1147 , 2SA1160A , 2SA117 , 2SA1177E , 2SA1182O , 2SA1195 , 2SA1198S , 2SA1208S , 2SA120A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved