Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1016F . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1016F

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1016F (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 120

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 120

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 110

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 2.2

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 160

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1016G , 2SA1016K , 2SA1016KF , 2SA1017 , 2SA1018 , 2SA1020 , 2SA1020Y , 2SA103 , 2SA1035 , 2SA1045 , 2SA1048GR , 2SA1051A , 2SA1054 , 2SA1065 , 2SA1069 , 2SA1085 , 2SA1090 , 2SA1097 , 2SA1110 , 2SA1121C , 2SA1127 , 2SA1144 , 2SA1146 , 2SA1160 , 2SA1169 , 2SA1177D , 2SA1182 , 2SA1194K , 2SA1198 , 2SA1208R , 2SA1209T

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved