Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1012O . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1012O

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1012O (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 60

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 170

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 70

Wytwórca:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1012Y , 2SA1013O , 2SA1013R , 2SA1015L , 2SA1015LG , 2SA1016 , 2SA1016G , 2SA1020 , 2SA1024 , 2SA1036K , 2SA1038 , 2SA1048LG , 2SA1049BL , 2SA1054 , 2SA1058 , 2SA1074 , 2SA1076 , 2SA1085 , 2SA1100 , 2SA1110 , 2SA1121 , 2SA1129 , 2SA1135 , 2SA115 , 2SA1158 , 2SA1163 , 2SA1177D , 2SA1186 , 2SA1187 , 2SA1200 , 2SA1206

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved