Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1011E . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1011E

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1011E (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 180

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 180

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 6

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 1.5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 30

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1012 , 2SA1012Y , 2SA1013 , 2SA1014 , 2SA1015 , 2SA1015LO , 2SA1016 , 2SA1019 , 2SA1022 , 2SA1035 , 2SA1037K , 2SA1048GR , 2SA1048Y , 2SA1052D , 2SA1056 , 2SA1072A , 2SA1074 , 2SA1083 , 2SA1097 , 2SA1109 , 2SA112 , 2SA1127 , 2SA1133 , 2SA1146 , 2SA1155 , 2SA1161 , 2SA1175 , 2SA1184 , 2SA1186P , 2SA12 , 2SA1204

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved