Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SA1006B . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SA1006B

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SA1006B (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 250

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 1.5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 80

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 45

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 120

Wytwórca:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SA1007 , 2SA1008 , 2SA1009 , 2SA1010 , 2SA1011 , 2SA1012 , 2SA1012Y , 2SA1016 , 2SA1016KG , 2SA1026 , 2SA103 , 2SA104 , 2SA1045 , 2SA1049BL , 2SA1050A , 2SA1063 , 2SA1065 , 2SA1074 , 2SA1090 , 2SA1100 , 2SA1109 , 2SA1121C , 2SA1122D , 2SA1137 , 2SA1146 , 2SA1153 , 2SA1163 , 2SA1179M5 , 2SA1180 , 2SA1193 , 2SA1198

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved