Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2S61 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2S61

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2S61 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.1

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 20

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 12

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 85

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.4

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 85

Wytwórca:

CIAŁO: TO1

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2S64 , 2S701 , 2S702 , 2S712 , 2S720 , 2S723 , 2S731 , 2S91 , 2S96 , 2SA1007A , 2SA101 , 2SA1015LG , 2SA1016H , 2SA1021 , 2SA1025 , 2SA1039 , 2SA1040 , 2SA1048L , 2SA1052 , 2SA1060 , 2SA1069A , 2SA1082 , 2SA109 , 2SA1102 , 2SA111 , 2SA1117 , 2SA1124 , 2SA1145 , 2SA1147 , 2SA1162 , 2SA117

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved