Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2S59 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2S59

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2S59 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.02

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 20

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 10

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.005

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 85

Maksymalna częstotliwość (Ft): 30

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 65

Wytwórca:

CIAŁO: TO44-1

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2S60 , 2S61 , 2S64 , 2S702 , 2S703 , 2S720 , 2S722 , 2S744 , 2S93 , 2SA1006A , 2SA1008 , 2SA1014 , 2SA1016 , 2SA1020 , 2SA1022 , 2SA1037K , 2SA1038 , 2SA1047 , 2SA1050A , 2SA1058 , 2SA1067 , 2SA108 , 2SA1083 , 2SA1097 , 2SA1108 , 2SA1114 , 2SA1122D , 2SA1142 , 2SA1145O , 2SA1160B , 2SA1166

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved