Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2S57 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2S57

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2S57 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.055

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 18

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 10

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 75

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.4

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 65

Wytwórca:

CIAŁO: TO44-1

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2S58 , 2S60 , 2S60A , 2S65 , 2S701 , 2S711 , 2S720 , 2S742 , 2S92 , 2SA1005 , 2SA1007 , 2SA1013O , 2SA1015LO , 2SA1019 , 2SA1020Y , 2SA1036K , 2SA1037K , 2SA1045 , 2SA105 , 2SA1056 , 2SA1065 , 2SA1078 , 2SA1081 , 2SA1096 , 2SA1107 , 2SA1112 , 2SA1122 , 2SA114 , 2SA1144 , 2SA1160 , 2SA1163

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved