Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N1132L . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N1132L

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N1132L (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 2

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 40

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.6

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 200

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4.5

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max:

Wytwórca:

CIAŁO:

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N1714S , 2N1716S , 2N1717S , 2N2060L , 2N2060M , 2N2218X , 2N2221AUBC , 2N2411X , 2N2484UBC , 2N2904DCSM , 2N2906AUB , 2N2907AUA , 2N2920L , 2N3250AUB , 2N3420L , 2N3440UA , 2N3467L , 2N3509CSM , 2N3713SMD , 2N3737UB , 2N3771G , 2N3811U , 2N3867U4 , 2N3906-G , 2N3999SMD , 2N4261UBC , 2N4901SMD , 2N5013S , 2N5038G , 2N5154HR , 2N5154X

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved