Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor HSBD233 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: HSBD233

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HSBD233 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 45

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 45

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj):

Maksymalna częstotliwość (Ft): 3

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO126

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: HSBD234 , HSBD237 , HSBD238 , HSBD377 , HSBD378 , HSBD433 , HSBD435 , H1015 , H1266 , H1959 , H227 , H3203 , H369 , H546 , H5551 , H9018 , H928S , HA44 , HD882S , HEP41C , HX3906 , SFT6800 , T2095 , SBP13007S , SD1013-3 , SD4590 , S9012H , SBC807-16LT1G , SBC807-25WT1G , SBC847BDW1T1G , SBC847BWT1G

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved