Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor NSVB114YPDXV6T1G . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: NSVB114YPDXV6T1G

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN*PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NSVB114YPDXV6T1G (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.26

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 80

Wytwórca: 14

CIAŁO: SOT563

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: NSBA144WF3 , NSVMMUN2112LT1G , NSVMMUN2113LT3G , NSVMMUN2133LT1G , NSVMMUN2135LT1G , NSVMMUN2230LT1G , NSVMMUN2232LT3G , NSS1C201MZ4T3G , NSVMMBT2907AWT1G , NSVDTA114EM3T5G , NSVDTA144EET1G , NSBC113EPDXV6 , NSBC114EDXV6T5G , NSBC114TDXV6T5G , NSBC114TPDXV6 , NSBC115TF3 , NSBC115TPDP6 , NSBC123EDXV6 , NSBC123JPDP6T5G , NSVMUN5137DW1T1G , NSVMUN5312DW1T2G , NSVBCW68GLT1G , NSVMUN2233T1G , NSVBC846BM3T5G , NSVBC857BTT1G , NSS40300MZ4T1G , NSS60600MZ4T1G , NSVBC114YDXV6T1G , NSV40200LT1G , NSBC124EDP6 , NSBC124XF3

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved