Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor NSBC113EPDXV6 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: NSBC113EPDXV6

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN*PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NSBC113EPDXV6 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max:

Wytwórca:

CIAŁO: SOT563

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: NSBC113EPDXV6T1G , NSBC114EDP6T5G , NSBC114EDXV6 , NSBC114EF3 , NSBC114EF3T5G , NSBC114EPDXV6 , NSBC114EPDXV6T5G , NSBC114TPDXV6T1G , NSBC114YF3 , NSBC115TPDP6T5G , NSVBT2222ADW1T1G , NSBC123JDXV6T1G , NSBC123JPDXV6 , NSVMUN5211DW1T3G , NSVMUN5215DW1T1G , NSVBCW32LT1G , NSVMSD42WT1G , NSV60600MZ4T1G , NSVBC850BLT1G , NSS40300MZ4T3G , NSS60101DMT , NSVB1706DMW5T1G , NSVBC114EPDXV6T1G , NSBC144EDXV6 , NSBC124EDXV6 , NSBC143EDXV6 , A1013 , A695 , A1163 , A1300 , A1357

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved