Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor NSBA114EDXV6T1G . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: NSBA114EDXV6T1G

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NSBA114EDXV6T1G (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 10

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 35

Wytwórca: 0A

CIAŁO: SOT563

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: NSBA114EF3T5G , NSBA114TDXV6T1G , NSBA114TDXV6T5G , NSBA114YDXV6T1G , NSBA114YF3T5G , NST3904DXV6T1G , NST3906DP6T5G , NST65011MW6T1G , NSBA113EDXV6 , NSBA123EF3T5G , NSBA123JDXV6T5G , NSBA124EF3 , NSBA143EDP6 , NSBA143ZDP6T5G , NSBA143ZF3T5G , NSVMMUN2131LT1G , NSVMMUN2133LT1G , NSS12501UW3T2G , NSVMMBT5087LT3G , NSVDTA114EM3T5G , NSVDTC143ZM3T5G , NSBC114EDXV6T5G , NSBC114EPDP6T5G , NSBC114YDP6 , NSBC114YPDXV6T1G , NSBC115TPDP6 , NSBC123EF3 , NSBC123TF3 , NSVMUN5131T1G , NSVMUN5333DW1T1G , NSVBCP69T1G

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved