Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor TSA114ENND03 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: TSA114ENND03

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TSA114ENND03 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.15

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 10

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 250

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca: 14

CIAŁO: WBFBP-03B

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: TSA114TNND03 , TSA143ENND03 , TSA143TNND03 , TSA5888CY , TSA874CW , TPT5609-A , TPT5609-C , TP5002S , N0202R , NZT45H8 , NJD35N04G , NJL0302DG , NJT4030PT3G , NSS12200W , NSV1C200LT1G , NJVMJB45H11T4G , NJVNJD35N04G , NSS20500UW3T2G , NJVMJD128T4G , NJVMJD32CT4G , NJVMJD44H11T4G , NSBA114YDP6T5G , NST3904DP6T5G , NST847BDP6T5G , NSBA115EDXV6 , NSBA123EF3 , NSB1706DMW5T1G , NSBA143EF3T5G , NSBA143TF3 , NSBA144WDP6T5G , NSVMMUN2113LT3G

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved