Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor BUL55BSMD . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: BUL55BSMD

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUL55BSMD (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 55

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 250

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 8

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj):

Maksymalna częstotliwość (Ft): 20

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 25

Wytwórca:

CIAŁO: TO276AB

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: BUL56ASMD , BUL57AN2A , BUL57AN2B , BUL62A , KA4A3Q , KA4A4P , KA4F3M , KA4L4L , KC557 , KC817W-25 , KC818-40 , KC847A , KC847CT , KNLS350E , KRA157F , KCX52 , KCX54 , KC850W , KC858 , KCP51 , KMBTA05 , KCW66 , KCW71 , KMBT2907A , KMBT4401 , RN2114FT , CZT3120 , CXT3410 , CXT5551E , CV7723L-O , CV10806

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved