Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N66 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N66

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N66 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 1

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 40

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.8

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 80

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.1

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max:

Wytwórca:

CIAŁO: MM1

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N660 , 2N6601 , 2N6602 , 2N6609 , 2N661 , 2N6619 , 2N6620 , 2N6653-2 , 2N6654-2 , 2N6671 , 2N6675 , 2N670 , 2N6706 , 2N6717 , 2N6720 , 2N6737 , 2N6739 , 2N6771 , 2N68 , 2N696S , 2N699S , 2N706A , 2N706B-46 , 2N709A , 2N716 , 2N720 , 2N730 , 2N742A , 2N743A , 2N755 , 2N758A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved