Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor DTA115TE . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: DTA115TE

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DTA115TE (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.15

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 250

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca: 99

CIAŁO: SOT523

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: DTA115TM , DTB123E , DTB123YCA , DTC123YM , DTC643TK , BFP740 , 2SA1413-Z , 3DD13002F , CXTA44 , 2SB1572 , 2SC3518-Z , BC850W , BC860W , KST8050X , KST8550S , KXC1502 , MMBT3904-D , ZXTP2013 , 2N3421S , 13003C , 3CA5679 , 3CA1185 , 3CA1225 , 3CA150A , 3CA1930 , 3CA834 , 3CA940 , 3CA350 , SBU13003BD , LB120A , ST2N2907A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved