Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor DK55A . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: DK55A

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DK55A (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 53

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 700

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 400

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 9

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 4

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 5

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 15

Wytwórca:

CIAŁO: TO251

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: DK55ED , E13005SDL , H13003 , H13003AH , H13003D , H13005 , H13005D , S13003A , S13005A , 3DD13002_B1 , 3DD13003_F1D , 3DD13003_U1D , 3DD13003_W3D , 3DD13005_C3D , 3DD13005_F7 , 3DD13009_A8 , 3DD13009_C8 , 3DD3040_A6 , 3DD4518_A3D , 3DD741_A8 , XN4601 , DTC113ZM , BFG67R , 3DD13003 , MJD13002 , 2SB1571 , 2SD1742A , KMMT618 , KST8050D-50 , KTA1036 , KXA1504

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved