Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor USS5350 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: USS5350

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora USS5350 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 2

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 3

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 35

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 200

Wytwórca:

CIAŁO: SOT-223_SOT-89

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: UT2274 , 2SC2328A , 2SD882S , HE8051 , MMBT1815 , MMBT945 , 2SA928A , DTA113T , DTA115T , DTB123Y , DTC114T , DTC144T , BUL6822 , BLD122DL , BLD128D , MJE13003HT , 2N4401A3 , BCX56M3 , BTA1210FP , BTA1640I3 , BTA1797M3 , BTB772AM3 , BTB772T3 , BTB1198N3 , BTB1236AM3 , BTB1424A3 , BTB1590N3 , BTC2030A3 , BTC2383A3 , BTC2883J3 , BTC3906L3

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved