Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor SUR502EF . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: SUR502EF

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SUR502EF (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.15

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 80

Wytwórca:

CIAŁO: SOT-563F

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: SUR503EF , SUR510EF , SUR511EF , SUR521H , SUR522H , SUR526H , SUR528H , SUR538J , SUR542EF , SUR560J , 2SA1979S , 2SC5342S , 2SC5343M , BC808F , BC846UF , DN050S , DN100S , DP100 , SBC547 , SBT2907A , SBT3906F , STB1132 , STC128M , STD129 , STN2222AS , STN2907ASF , STS8050 , SUT465N , SUT484J , 13003BS , 13005EC

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved