Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor HUN5130 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: HUN5130

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HUN5130 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.202

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 3

Wytwórca:

CIAŁO: SOT-323

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: HUN5131 , HUN5133 , HUN5134 , HUN5137 , HUN5211 , HUN5214 , HUN5216 , 2N5401SAM , BC368-25 , BD136-25 , BD139-25 , C45H4 , CC327-25 , CC338 , CC5401 , CD9011 , CD9011E , CD9013 , CD9015A , CD9016G , CD9018J , CIL2328A , CIL928A , CSC1507FG , CSD73O , C2688BPL , CDB1370 , CJF15028 , CJF15032 , CLD667A , CMBA857F

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved