Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor HSD313 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: HSD313

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HSD313 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 30

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 3

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 8

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO-220AB

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: HSD468 , HSD669A , HSD669AT , HSD882S , HSD965 , HT772 , HTIP112 , HUN2115 , HUN2134 , HUN2234 , HUN2238 , HUN5135 , HUN5214 , 2N5401SAM , BC368-10 , BD138-16 , BD139-25 , C45H1 , CC328-16 , CC5401 , CD2383 , CD9011I , CD9012GHI , CD9014E , CD9016 , CD9018D , CD965R , CMBT2222A , CMBT3904 , SJE1349 , C43C2

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved