Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor HM3669 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: HM3669

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HM3669 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 1

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 80

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 30

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 300

Wytwórca:

CIAŁO: SOT-89

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: HM42 , HM5401 , HM5551 , HM772 , HM772A , HM94 , HMBT1015 , HMBT5551 , HMBTA06 , HMJE13007A , HMPSA06 , HSB649T , HSC1815 , HSD882S , HT772 , HUN2134 , HUN2137 , HUN2232 , HUN5116 , HUN5214 , HUN5237 , BC550A , BC640-16 , C44H4 , C45H7 , CC328-16 , CC5401 , CD9011 , CD9011G , CD9014D2 , CD9015C

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved