Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor KRA756E . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: KRA756E

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KRA756E (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.2

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 80

Wytwórca:

CIAŁO: TES6

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: KRA756U , KRA757F , KRA757U , KRA758U , KRA759E , KRA760E , KRA760U , KRA764F , KRA768E , KRC105S , KRC109S , KRC121S , KRC402 , KRC406 , KRC407E , KRC413E , KRC414 , KRC418E , KRC451 , KRC646T , KRC654E , KRC659F , KRC660U , KRC668E , KRC681T , KRC821U , KRC826E , KRC832U , KRC834E , KRC842U , KRC851F

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved