Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor MUN5132DW . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: MUN5132DW

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora MUN5132DW (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.187

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 15

Wytwórca:

CIAŁO: SOT-363

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: MUN5133DW , MUN5134DW , MUN5135DW , MUN5137 , MUN5137DW , MUN5213DW , MUN5215DW , MUN5235DW , MUN5312DW , 2N2904U1 , 2N3904C , 2N5550S , KTA1040D , KTA1242L , KTA1296 , KTA1551T , KTA1553T , KTA1725 , KTA2014E , KTA711U , KTB1772 , KTC2022D , KTC2026 , KTC3003 , KTC3266 , KTC3541T , KTC3620V , KTC3879S , KTC3964 , KTC5001D , KTC5197

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved