Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor DTA043EEB . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: DTA043EEB

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DTA043EEB (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.15

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 30

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 250

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: EMT3F

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: DTA043EM , DTA043ZEB , DTA043ZM , DTA044EM , DTA044EUB , DTA114EM , DTA114WE , DTA123JM , DTA124EM , DTA143ZUB , DTA144WE , DTB713ZE , DTB743XE , DTC015EUB , DTC023JEB , DTC114EEB , DTC114EUB , DTC123JEB , DTC143XM , DTD123YK , DTD543ZM , KT209Zh , KT220V9 , KT315V1 , KT385A-2 , KT541A , KT624A-2 , KT815G9 , KT816G9 , KT8215B , KT8228A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved