Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N5830 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N5830

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N5830 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.625

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 120

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 100

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.6

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 80

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N5831 , 2N5833 , 2N5834 , 2N5837 , 2N5838 , 2N584 , 2N5841 , 2N585 , 2N5855 , 2N587 , 2N5871-2 , 2N5879 , 2N5885 , 2N5895 , 2N5899 , 2N5920 , 2N5922 , 2N5931 , 2N5943 , 2N596 , 2N5969 , 2N5981 , 2N5985 , 2N5999 , 2N6004 , 2N6011 , 2N6026 , 2N6042 , 2N6046 , 2N6060 , 2N6066

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved