Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N1165 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N1165

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N1165 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 106

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 40

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 25

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 100

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.1

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 15

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N1165A , 2N1166A , 2N1167 , 2N1169 , 2N117 , 2N1172 , 2N1174 , 2N118 , 2N1184 , 2N1194 , 2N1198 , 2N1208-1 , 2N1211-1 , 2N1221 , 2N1225 , 2N1240 , 2N1242 , 2N1250 , 2N1260 , 2N1267 , 2N1273GN , 2N1276 , 2N128 , 2N1294 , 2N1303 , 2N130A , 2N131A , 2N1334 , 2N1338 , 2N1354 , 2N1358M

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved