Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor UN412X . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: UN412X

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora UN412X (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.6

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 6

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: X016

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: UN412Y , UN4210R , UN4210S , UN4213 , UN4214 , UN4215S , UN4216R , UN421H , UN5210Q , UN5217R , UN521D , UN6112 , UN6116Q , UN611L , UN6124 , UN6217S , UN6219 , UN9110Q , UN9117R , UN911M , UN9215S , UN921F , UPT111 , UPT315 , UPT525 , UPT724 , V162A , WT5701-05 , XA112 , XB113 , XC141

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved