Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor UMX1N . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: UMX1N

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora UMX1N (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.1

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.15

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 140

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 120

Wytwórca:

CIAŁO: SO6

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: UMX2N , UMX4N , UMX5N , UMZ1N , UMZ2N , UN1110S , UN1112 , UN1117R , UN111F , UN1213 , UN1215S , UN1221 , UN2110S , UN2117R , UN211D , UN2211 , UN2213 , UN2217S , UN2222 , UN4115S , UN411E , UN4212 , UN4215R , UN421K , UN5213 , UN5217Q , UN521T , UN6117S , UN611E , UN6215R , UN6217R

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved