Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor MM800 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: MM800

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora MM800 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 90

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 40

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 3

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 1.5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 60

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 6

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: MM8000 , MM8002 , MM8003 , MM8008 , MM8009 , MM8011 , MM869B , MMBC1009F1 , MMBC1321Q3 , MMBC1654N5 , MMBR2857 , MMBR911LT1 , MMBR941 , MMBT1711 , MMBT200A , MMBT2484LT1 , MMBT2894 , MMBT2907 , MMBT3565 , MMBT3643 , MMBT3903 , MMBT4122 , MMBT4126 , MMBT4354 , MMBT4916 , MMBT5129 , MMBT5141 , MMBT5551R , MMBT5856 , MMBTA05 , MMBTA13LT1

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved