Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor ME502 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: ME502

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora ME502 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 25

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 20

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 12

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 165

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 13

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: ME503 , ME512 , ME513 , ME6002 , ME6003 , ME8001 , ME8003 , MF3304 , MG200H1AL1 , MH0813 , MH0822 , MHQ2221 , MHQ2907 , MJ1000 , MJ10003 , MJ10022 , MJ10024 , MJ10052 , MJ11015 , MJ11032 , MJ12021 , MJ13332 , MJ14000 , MJ15020 , MJ16002A , MJ16014 , MJ2251 , MJ2940 , MJ2955SM , MJ3248 , MJ3521

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved