Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor KT6127E . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: KT6127E

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KT6127E (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.6

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 10

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 4

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 150

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 74

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 50

Wytwórca:

CIAŁO:

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: KT6127G , KT6127J , KT6127K , KT6129B-2 , KT6130A-9 , KT6133V , KT6134B , KT620A , KT626V , KT635B , KT639A , KT639V , KT643A-2 , KT657B-2 , KT660B , KT683B , KT683E , KT685G , KT698B , KT709B2 , KT716V , KT801A , KT805A , KT808GM , KT8106B , KT8107E2 , KT8109B , KT8121A-1 , KT8121B-2 , KT812V , KT8131V

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved