Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor KT502E . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: KT502E

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KT502E (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.35

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 80

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 20

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.15

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 5

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 50

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 80

Wytwórca:

CIAŁO:

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: KT502G , KT503A , KT503B , KT503G , KT503V , KT504V , KT505B , KT602G , KT603G , KT607B-4 , KT6103A , KT6110D , KT6111V , KT6114D , KT6115A , KT6127G , KT6127J , KT6134B , KT626D , KT633B , KT639B , KT640A-2 , KT643A-2 , KT659A , KT667A9 , KT682B-2 , KT685D , KT698E , KT698K , KT718B , KT723A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved