Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor KT315G . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: KT315G

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KT315G (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.15

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 35

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 35

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 6

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 120

Maksymalna częstotliwość (Ft): 250

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 7

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 50

Wytwórca:

CIAŁO:

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: KT315G-1 , KT315I-1 , KT315J , KT315N-1 , KT315R , KT315V-1 , KT3162A-5 , KT316BM , KT316VM , KT3189B-9 , KT3192A-9 , KT325AM , KT326AM , KT336E , KT337B , KT342AM , KT342BM , KT345B , KT352A , KT359B-3 , KT361D2 , KT361L , KT361N , KT368B9 , KT373B , KT379V , KT501B , KT503D , KT504A , KT603D , KT604AM

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved