Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor KT215G9 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: KT215G9

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KT215G9 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.2

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 40

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 7

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 5

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 50

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO:

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: KT215V9 , KT216B , KT216V , KT218D9 , KT218E9 , KT301 , KT301B , KT306A , KT306G , KT3102G , KT3102J , KT3107K , KT3109A , KT3122B , KT3123BM , KT312V , KT3130B9 , KT3132G-2 , KT3140D , KT3146G-9 , KT315A , KT315N , KT315V , KT316D , KT3175A , KT3189A-9 , KT321A , KT333D-3 , KT336A , KT339VM , KT342A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved