Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor KSB1151 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: KSB1151

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KSB1151 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 20

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 7

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca:

CIAŁO: TO126

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: KSB1151G , KSB1151Y , KSB1330 , KSB1366Y , KSB546 , KSB546Y , KSB564A , KSB707O , KSB708Y , KSB794 , KSB795 , KSB817Y , KSB906Y , KSC1096 , KSC1173Y , KSC1394Y , KSC1395O , KSC1520A , KSC1730 , KSC184O , KSC2223R , KSC2310Y , KSC2328 , KSC2333R , KSC2335Y , KSC2500B , KSC2669O , KSC2690Y , KSC2710R , KSC2755 , KSC2756R

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved