Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor IMB16 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: IMB16

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IMB16 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.1

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 140

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: SO6

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: IMB17A , IMB2A , IMB3A , IMB6A , IMB7A , IMBT3903 , IMBT3905 , IMD2A , IMH11A , IMT3A , IMX2 , IR2002 , IR3001 , IR4059 , IR646 , IT128 , IT128TO71 , IT131 , IT138TO71 , J460 , J584 , J629 , JA100O , JC327A , JC500P , JC546 , JC549B , JC560B , JE5400B , JE9011G , JE9012G

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved