Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor HSE2012 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: HSE2012

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HSE2012 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 40

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 80

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 140

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.5

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 25

Wytwórca:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: HSE210 , HSE217 , HSE218 , HSE224 , HSE226 , HSE301 , HSE3010B , HSE316 , HSE350 , HSE418 , HSE423 , HSE830 , HSE902 , HT401 , HVT600 , IDB1019 , IDB1023 , IDC2073 , IDC3306 , IDD1433 , IDI8000 , IMB5A , IMB9A , IMD3A , IMH4A , IMT2A , IMZ4 , IR4040 , IR4047 , IT124A , IT127TO71

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved