Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor HEPS5000 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: HEPS5000

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HEPS5000 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 40

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 80

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 4

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 140

Maksymalna częstotliwość (Ft): 2

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 60

Wytwórca:

CIAŁO: TO218

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: HEPS5004 , HEPS5006 , HEPS5011 , HEPS5014 , HEPS5015 , HEPS5020 , HEPS5022 , HEPS7002 , HEPS7008 , HEPS9145 , HEPS9149 , HPA100R-2 , HPA150R-4 , HS3402 , HS5306 , HS6010 , HS6012 , HSE112 , HSE135 , HSE163 , HSE191 , HSE223 , HSE3003 , HSE317 , HSE405 , HSE417 , HSE459 , HSE911 , HT2 , IDA1307 , IDB1017

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved