Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GT400-4B . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GT400-4B

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GT400-4B (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 2000

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 400

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 3

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 525

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca:

CIAŁO: XM37

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GT400-4C , GT400-4E , GT400-5A , GT400-5D , GT400-5E , GT400-6C , GT400-6E , GT400-9A , GT402B , GT403J , GT404D , GT45 , GT5149 , GT703V , GT705G , GT806A , GT806D , GT812 , GT906A , GTM305B , HA22G , HA5020 , HA5024 , HA7520 , HA7530 , HA7538 , HA7633 , HA9054 , HA9058 , HEPG0001 , HEPG0008

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved