Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GS9013H . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GS9013H

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GS9013H (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.6

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 25

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 25

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 3

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 20

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 144

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GS9013I , 2SB1386PGP , GS9014A , GS9015 , 2SB1386-P , GS9015C , GS9016D , GS9018G , GS9022 , GSDU7540 , GSH9012F , GSRU15040 , GSTU10030 , GSTU6040 , GSTU8040I , GT109D , GT109G , GT1202 , GT125I , GT150-9 , GT250-10B , GT250-5D , GT250-6D , GT2694 , GT2886 , GT308B , GT310E , GT321A , GT321G , GT329A , GT330D

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved